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第三代半导体紫外探测材料器件关键技术启动会
发布时间:2022-07-28浏览次数:92

  月30日讯 10,料及器件关键技术”启动会在南京大学鼓楼校区召开国家重点研发计划项目“第三代半导体紫外探测材,材料处史冬梅处长科技部高技术中心,校长、郑有炓院士南京大学潘毅副,大学郝跃院士西安电子科技,华体育光机所王立军院士中国科学院长春,与人员共计40余人与会以及有关专家和项目参。南京大学教授陆海主持会议由项目负责人、。

  京大学牵头本项目由南,所、中科院长春光机所等14家国内在该领域的优势单位共同承担华中科技大学、清华大学、中国电子科技集团公司第五十五研究。

  体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料以碳化硅(SiC)和III族氮化物为代表的宽禁带半导,和漂移速度高以及化学稳定性优等特点具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱,段的光电探测器件用于工作在紫外波,材料性能优势具有显著的。像、深空探测和国防预警等应用本项目面向量子信息、医学成,SiC紫外单光子探测器、相关成像阵列及紫外成像系统研究计划开展高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光电探测器、;和应用演示的全链条、一体化技术攻关研究通过从材料生长到器件研制、再到系统集成,外探测技术的实用化进程有力推动宽禁带半导体紫。实施和成果转化为了加速项目的,专家组和管理工作组项目分别成立了咨询。

  期间会议,表学校致欢迎词潘毅副校长代,项的部署和管理进行讲解史冬梅处长就国家重点专,题、主要研究内容、团队分工及最新工作进展分别进行汇报陆海教授及各课题负责人就项目拟解决的关键科学技术问;实施方案、项目管理和人才培养等提出了指导性建议与会咨询专家针对项目实施过程中的应用需求分析、;杨斌项目主管做了总结发言科技部高技术中心材料处,工作给予肯定对项目前期,提出了具体要求并就项目实施。搜狐返回,看更查多

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